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導電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等鈣鈦礦電池材料激光刻蝕劃線處理
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可根據需求將整個加工部分置入手套箱內加工
根據不同場景的需求，配置納秒脈寬的紅外光纖（1064nm）、綠光（532nm）波段光源；皮秒脈寬的紅外光纖（1064nm）、綠光（532nm）、紫外（355nm）波段光源；飛秒脈寬的紅外光纖（1030nm）、綠光（515nm）波段光源進行微精細激光刻蝕、劃線、構造去除、劃片、表面剝離等應用。
適用于柔性PET/PI/PEN/玻璃等基底材料上的鈣鈦礦太陽能電池激光刻蝕劃線應用。
玻璃、PET、PI、PNT等基底上薄膜材料激光刻蝕，應用于觸摸屏、光伏太陽能電池、電至色玻璃等行業。
適用于導電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等材料處理。特別是針對鈣鈦礦電池領域的陰電極、鈣鈦礦空穴傳輸層、阻擋層、鈣鈦礦層、陽電極激光刻蝕劃線技術上有獨到的技術優勢。
采用自主研發的控制軟件、直接導入CAD 數據CCD相機定位自動激光刻蝕，操作簡單，方便快捷；采用通過軟件實時調節振鏡與直線電機、電動升降工作臺的設計，加上真空吸附托盤裝置，能有效地解決激光刻蝕加工運行中的平穩性。
設備集數控技術、激光技術、軟件技術等光機電高技術于一體，具有高靈活性、高精度、高速度等先進制造技術的特征?？纱蠓秶鷥冗M行各種圖案，各種尺寸的精密、高速刻蝕，并且能夠保證很高的產能，是一個可靠、穩定和具有高性能價格比的產品。
主要構成：激光器、光路系統、運動控制系統、電控制系統、定位系統、抽塵系統、真吸附空系統、大理石龍門結構、鈑金結構件等。
型號 | 納秒綠光ET200MG | 皮秒綠光 ET300MGPS | 皮秒紫外 ET300UV-PS | 飛秒紅外 ET300IR-FS | 飛秒綠光 ET300MG-FS | 實驗室刻蝕機 ET100IR/ET100MG | |
激光器 | 532nm | 532nm | 355nm | 1030nm | 515nm | 1064/532nm | |
功率 | 5/10W | 10/15/30W | 10/15/30W | 20/30/40W | 10W | 20W/5W | |
加工尺寸 | 100*100/200*200/300*300/400*300/600*600/600*900/700*1400mm可選 可定制加工幅面 | 110*110mm可選 | |||||
激光器頻率 | 30-150KHz | 1-1000KHz | 1-1000KHz | 25-5000KHz | 25-5000KHz | 1-2000KHz/ 30-100khz | |
振鏡 | 10/14mm通光孔徑 | 10mm通光孔徑 | |||||
聚焦鏡 | 40*40/70*70/110*110mm幅面（根據不同的應用場景選擇） | 100-140mm可選 | |||||
擴束鏡 | 4X | 2-8X可調 | 1.5X | ||||
聚焦光斑 | ＜30μm | ＜10μm | ＜50μm | ||||
最小線寬 | ＜30μm | ＜10μm | ＜50μm | ||||
最大可根據需要可全部去除鍍層材料，如P4清邊處理 | |||||||
最小線間距 | ＜30μm | ＜10μm | ＜50μm | ||||
熱影響區 | ＜5μm | ＜3μm | |||||
直線度 | ±10μm | ±5μm（最小可至±1μm） | ±20μm | ||||
Z軸電機行程 | 50mm（自動軟件控制） | 手動500mm | |||||
工作臺定位精度 | ±3μm | ±20μm | |||||
工作臺重復精度 | ±1μm | ±20μm | |||||
CCD相機定位精度 | ±3μm | ±10μm | |||||
刻蝕速度 | 最大刻蝕速度4000mm/s（單線） | ||||||
設備尺寸/重量 | 1200*1200*1700mm（300*00mm幅面內） 約1000Kg 納秒 大尺寸及雙光路 1280*1400*1750mm（300*300mm幅面內） 約1800Kg 皮秒/飛秒 電話聯系 1800*1800*1750mm（600*600mm幅面內） 約2500kg皮秒/飛秒 | 1050*700*1660mm（L*W*H） 約300Kg | |||||
設備功耗 | ＜2500W | ＜3000W | ＜1500W | ||||
設備文件格式 | 標準CAD DXF文件 | DXF/PLT/JPG等 | |||||
備注：量產后一般采用多種波段激光配合使用，非單臺機器完成所有膜層制作。 | |||||||
P3碳粉激光刻蝕
P2氧化鋯氧化鈦刻蝕
P3金電極激光刻蝕
P2鈣鈦礦激光刻蝕
P2氧化錫鈣鈦礦刻蝕
P3銀電極激光刻蝕
P3銅電極激光刻蝕
P2鈣鈦礦激光刻蝕
P1 TCO FTO激光刻蝕
P2鈣鈦礦激光刻蝕
P3銅電極激光刻蝕
P1 TCO ITO激光刻蝕
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